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真空燒結爐是一種在真空環(huán)境下對材料進行高溫加熱處理,使其發(fā)生致密化、合金化或相變等過程的設備,廣泛應用于硬質合金、陶瓷、磁性材料、粉末冶金、新能源材料(如鋰電池正負極材料)等領域。以下從選型指南和工藝講解兩方面詳細說明。
一、真空燒結爐的選型指南
選型需結合材料的特性(成分、粒度、易氧化性、揮發(fā)性)、工藝需求(溫度、真空度、氣氛控制、冷卻速度)及生產(chǎn)規(guī)模(實驗室/中試/量產(chǎn)),核心關注以下參數(shù):
1. 加熱方式與結構類型?
真空燒結爐按加熱方式可分為電阻加熱、感應加熱、紅外加熱等,工業(yè)主流為電阻加熱(穩(wěn)定可控);按結構分為立式、臥式、鐘罩式等:
立式爐:適合小批量、高精密樣品(如實驗室),裝料/取料方便,但爐膛高度受限;
臥式爐:適合大尺寸工件或連續(xù)生產(chǎn)(如硬質合金棒材),裝爐量大,熱場均勻性好;
鐘罩式爐:可快速更換爐罩,適合多品種小批量生產(chǎn)(如特種陶瓷)。
選型建議:實驗室選立式電阻爐;量產(chǎn)選臥式(大尺寸)或鐘罩式(多品種)。

2. 最高工作溫度與升溫速率?
溫度范圍:常見1000~2400℃(需覆蓋材料燒結溫度,如硬質合金燒結約1400~1600℃,碳化物/氮化物需1800℃以上);
升溫速率:影響晶粒生長(過快易導致開裂),需根據(jù)材料熱導率調整(如陶瓷類≤10℃/min,金屬基復合材料可20~30℃/min)。
注意:需確認爐體保溫層(如石墨氈、陶瓷纖維)的耐溫極限,避免超溫損壞。
3. 真空度與泄漏率?
真空度:根據(jù)工藝需求選擇(如防止氧化需10?¹~10?³Pa;脫氣/除低揮發(fā)物需10??~10??Pa);
泄漏率:≤1×10??Pa·m³/s(低泄漏率保證長期真空穩(wěn)定性,避免外界氣體滲入干擾反應)。
特殊需求:若需超高真空(如半導體材料),需配置分子泵+離子泵組合。
4. 氣氛控制系統(tǒng)?
真空燒結常需通入保護氣(Ar、N?)或反應氣(H?、CH?):
氣路設計:需配備質量流量控制器(MFC)、壓力傳感器,支持動態(tài)調節(jié)(如脫蠟階段通H?還原,燒結階段通Ar保護);
密封性:爐門、觀察窗、熱電偶接口需采用金屬密封(如銅墊圈),避免漏氣。
提示:含易氧化材料(如Ti、Al)必須全程通保護氣,真空僅作為輔助。
5. 冷卻系統(tǒng)?
燒結后冷卻速度影響材料性能(如淬火獲得非平衡組織):
自然冷卻:適用于對冷卻速率無要求的場景(如普通硬質合金);
強制風冷/水冷:通過爐殼夾套或獨立冷卻回路實現(xiàn),冷卻速率可達50~200℃/min(需匹配材料抗熱震性);
氣淬(如Ar氣):用于需要快速冷卻的高端材料(如高速鋼)。
注意:水冷系統(tǒng)需防結露(低溫段需保溫或加熱),避免工件吸潮。
6. 控制系統(tǒng)與安全功能?
控制精度:溫度±1℃,真空度±5%(需PID+PLC或更高級算法);
自動化:支持程序編輯(多段升溫/保溫/冷卻)、數(shù)據(jù)記錄(溫度、真空度曲線);
安全:過溫保護、真空超限報警、斷電應急冷卻(如備用電源啟動風扇)。
7. 其他關鍵參數(shù)?
有效容積:根據(jù)單次裝爐量選擇(如實驗室選10~50L,量產(chǎn)選100~500L);
發(fā)熱體與隔熱層:石墨發(fā)熱體(高溫≤2400℃,但易氧化,需真空/保護氣)、鉬/鎢發(fā)熱體(更高耐溫但成本高);隔熱層常用石墨硬氈(導熱低、易加工)或陶瓷纖維(成本低但耐溫稍低);
維護成本:易損件(如密封圈、發(fā)熱體)的更換頻率與價格。
二、真空燒結工藝講解
真空燒結的核心是通過真空環(huán)境抑制氧化、促進揮發(fā)(如石蠟、Zn等雜質),結合溫度、時間、氣氛調控實現(xiàn)材料致密化與性能優(yōu)化。典型流程如下:
1. 預處理(裝爐前)?
粉體制備:確保粉末粒度分布均勻(避免燒結時局部收縮不均)、干燥(含水會導致孔隙或鼓泡);
成型:壓制成型(冷壓、熱壓)或注射成型,需控制生坯密度(過低易坍塌,過高易開裂);
裝爐:工件間距≥5mm(避免粘連),敏感材料(如易揮發(fā)組分)需用坩堝或涂層保護。
2. 脫脂(預燒)階段?
目標:去除生坯中的粘結劑(如石蠟、PEG、橡膠),避免高溫下分解產(chǎn)生氣體導致鼓泡或開裂。
溫度:低溫段(200~600℃),分段升溫(每段≤5℃/min);
真空度:先低真空(10~100Pa)使粘結劑熔化流出,再高真空(10?¹~10?²Pa)促進分解氣體排出;
輔助手段:通少量H?或惰性氣體(如N?)加速分解,或在爐外預脫脂(減少爐內(nèi)污染)。
關鍵:脫脂不徹底會導致燒結時內(nèi)部氣孔或裂紋,需通過稱重法(失重率≈粘結劑含量)驗證。
3. 燒結階段?
目標:通過原子擴散使顆粒結合,達到致密化(相對密度≥95%),并調控顯微結構(晶粒尺寸、晶界相)。
升溫速率:根據(jù)材料熱導率調整(如WC-Co體系≤10℃/min,避免Co液相過早形成導致變形);
燒結溫度與時間:
固相燒結(如Al?O?陶瓷):1500~1800℃,保溫2~4h(依賴固相擴散);
液相燒結(如WC-Co硬質合金):1400~1500℃(Co熔點1495℃),保溫1~2h(液相流動填充孔隙);
反應燒結(如Si?N?):1600~1800℃,同時通入N?(防止Si氧化),保溫時間更長(3~6h);
真空度:保持10?²~10?³Pa(抑制氧化,促進低沸點雜質揮發(fā),如Pb、Zn);
氣氛控制:若需還原(如氧化物中的氧),通H?(需注意安全);若需滲碳(如硬質合金表面增碳),通CH?/H?混合氣。
注意:溫度過高會導致晶粒粗化(降低強度),時間不足則致密化不完全(殘留孔隙)。
4. 冷卻階段?
隨爐冷卻:適用于對組織無特殊要求的材料(如普通結構陶瓷);
快速冷卻(淬火):用于需要細晶或亞穩(wěn)相的材料(如高速鋼淬火獲得馬氏體);
控速冷卻:避免熱應力開裂(如陶瓷類冷卻速率≤10℃/min,金屬基復合材料可30~50℃/min)。
關鍵:冷卻時需維持真空或保護氣,避免二次氧化。
5. 后處理?
脫模:取出工件,清理表面殘留;
精整:磨削、拋光(如硬質合金刀具需刃口研磨);
檢測:密度(阿基米德法)、硬度(洛氏/維氏)、金相(孔隙率、晶粒尺寸)、力學性能(抗彎/抗壓強度)。
三、常見問題與對策
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問題 |
原因 |
對策 |
|---|---|---|
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燒結體開裂 |
升溫/冷卻過快、生坯密度不均 |
降低升降溫速率,優(yōu)化成型工藝 |
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內(nèi)部氣孔 |
脫脂不徹底、燒結溫度/時間不足 |
延長脫脂時間,提高燒結溫度或保溫時間 |
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晶粒異常長大 |
燒結溫度過高或時間過長 |
優(yōu)化溫度-時間曲線,添加晶粒抑制劑(如MgO抑制Al?O?晶粒長大) |
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表面氧化 |
真空度不足或冷卻時斷氣 |
檢查真空系統(tǒng)泄漏,冷卻階段持續(xù)通保護氣
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總結
真空燒結爐選型需圍繞材料特性與工藝需求,重點關注溫度、真空度、氣氛、冷卻能力四大核心參數(shù);工藝設計需嚴格控制脫脂、燒結、冷卻階段的參數(shù),平衡致密化與顯微結構調控。實際生產(chǎn)中需結合實驗驗證(如正交試驗優(yōu)化工藝),并結合設備維護(如定期檢漏、更換密封件)保障穩(wěn)定性。
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